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Si4398DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.50
60
0.25
0.00
- 0.25
- 0.50
- 0.75
- 1.00
I D = 250 μ A
50
40
30
20
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
1
10 ms
100 ms
1s
10 s
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
T C = 25 °C
DC
Single P u lse
0.01
0 . 0 1
0.1
1
1 0
1 0 0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single P u lse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 67 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73018
S11-0209-Rev. C, 14-Feb-11
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